柱状晶振3*8封装

  标称频率（Fn）： 4MHz～100MHz

  封装模式： 3×8

  调整频差 ： ±5～±30ppm at 25℃±2℃

  谐振电阻（Rr）： ≤120Ω

  负载电容（CL）： 12PF～20PF

  温度频差（FL-T）： ±20ppm

  工作温度范围(OTR)： -20℃ ~ +70℃

  储存温度范围(STR)： -40℃ ~ +85℃

  激励功率： 10uW

  静态电容（Co）： ＜4.0PF

  绝缘电阻： ≥500MΩ（DC100V±15V）

  测试仪器： KH1240、250B

  年老化率： ≤±3ppm/年

  其它： 印字标志清晰；外表光洁，无损伤。